盛夏已過，初秋開場

二月的高溫度還不肯不散生活中也免不掉被混亂的崗位解除封印

低壓大耗油率(6500V/3000A)IGBT測試圖片難？伴漸漸品牌訴求急、任務重、讓高工作師們壓力差山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

根據SiC與Si特點的各不相同，SiC MOSFET的域值線額定的電壓包括時快時慢界定，在電子元器件測驗技術的時候中域值線額定的電壓會起清晰漂移，造成的其電性能指標測驗技術甚至高溫作業柵偏沖擊試驗后的電測驗技術報告單情況嚴重依懶于測驗技術要求。以至于域值線額定的電壓的精準測驗技術，現行標準能信性測驗技術技術有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通內阻 RDSon為反應配件業務時導通耗費的一重要的共同點技術指標，其數量會隨 VGS 包括T的發生修改而修改。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護措施要能將端電壓還瞬時電流局限在SOA領域，防止集成電路芯片毀壞或炸管。

測試測試經濟條件：800V 恒壓 10μA 限流

測試儀前提條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）電流量檢驗電源線路將加快導通相電壓精確測量高精度；? SOCKET與PIN玩阻值、測驗引線導通阻值。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流大小波形圖振動；? 輸電線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 一般同軸電纜線的等效電解電容與DUT串連，SMU測式時持續增長各種動態平衡的時間長；? 三同軸電覽等效電容器近乎為0。

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